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New Product
SUP40P10-43
Vishay Siliconix
P-Channel 100-V (D-S) MOSFET
FEATURES
PRODUCT SUMMARY
? Halogen-free According to IEC 61249-2-21
V DS (V)
- 100
R DS(on) ( Ω )
0.043 at V GS = - 10 V
0.048 at V GS = - 4.5 V
I D (A) c
- 36
- 34.4
Q g (Typ.)
54 nC
Definition
? TrenchFET ? Power MOSFET
? 100 % R g Tested
? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
APPLICATIONS
? LCD Inverter
- Backlighting
TO-220AB
S
G
Drain connected to Tab
G D S
Top View
Ordering Information: SUP40P10-43-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T C = 25 °C, unless otherwise noted
D
P-Channel MOSFET
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Symbol
V DS
V GS
Limit
- 100
± 20
Unit
V
Continuous Drain Current (T J = 150 °C) c
Pulsed Drain Current
Avalanche Current
Single Pulse Avalanche Energy a
Power Dissipation
Operating Junction and Storage Temperature Range
T C = 25 °C
T C = 125 °C
L = 0.1 mH
T C = 25 °C
T A = 25 °C
I D
I DM
I AS
E AS
P D
T J , T stg
- 36
- 16
- 40
- 35
61
125 b
2.0
- 55 to 150
A
mJ
W
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Junction-to-Ambient Free Air
Junction-to-Case
Symbol
R thJA
R thJC
Limit
62
1.0
Unit
°C/W
Notes:
a. Duty cycle ≤ 1 %.
b. See SOA curve for voltage derating.
Document Number: 65458
S09-2035-Rev. A, 05-Oct-09
www.vishay.com
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